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III-V - Halbleiter

Standard:

Durchmesser: 2" - 3" Dicke: 300 - 500 µm Orientierung: (100)(111)(110)

GaAs - Galliumarsenid

Gitterkonst.: 0,565 nm Dotierung: Si,Te,Zn,undoped

GaP - Galliumphosphid

Gitterkonst.: 0,545 nm Dotierung: Cr,S,Zn,undoped

GaSb - Galliumantimonid

Gitterkonst.: 0,609 nm Dotierung: Te,Si,Ge,undoped
 

 

- teilweise direkt ab Lager - andere Formate auf Anfrage - auch kleine Stückzahlen

InAs - Indiumarsenid

Gitterkonst.: 0,606 nm Dotierung: S,Zn,undoped

InP - Indiumphosphid

Gitterkonst.: 0,587 nm Dotierung: Fe,S,Cd,undoped

InSb - Indiumantimonid

Gitterkonst.: 0,648 nm Dotierung: Te,Ge,undoped